SAMSUNG 990 1T M.2 *MZ-V9V1T0BW
182,86 €
Caractéristiques techniques
| Marque | Samsung |
| Résistant aux chocs jusqu'à | 1 500 G |
| Résistant aux vibrations jusqu'à | 20 G |
| Température de fonctionnement | 0 – 70 °C |
| Emplacement | Interne |
| Format M.2 | 2280 |
Dimensions & Poids
| Facteur de forme | M.2 |
| Hauteur | 2,38 mm |
| Largeur | 22,15 mm |
| Longueur | 80,15 mm |
| Poids | 9 g |
Performances
| Durée de vie | 1 500 000 h |
| Vitesse d'écriture 4K IOPS | 1 100 000 |
| Vitesse de lecture 4K IOPS | 700 000 |
| Vitesse de transfert (écriture) | 6 450 Mo/s |
| Vitesse de transfert (lecture) | 7 150 Mo/s |
| Volume d'écriture (nombre total d'octets écrits) | 400 TBW |
Propriétés
| Bus | PCIe 4.0 x4 |
| Capacité en Go | 1 000 Go |
| Caractéristiques | Récupérateur de mémoire, Support TRIM, Mode veille, SMART |
| Codage | AES 256-Bit |
| Consommation d'énergie (actif) | 4 watts |
| Construction | interne |
| Protocole | NVMe |
| Type de mémoire | 3D V-NAND |
Caractéristiques
| Type de produit | Disque dur interne SSD |
Références produit
- EAN / GTIN
8806099020699- Référence constructeur et boutique
MZ-V9V1T0BW
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